第三代半導體是以碳化矽SiC▩↟✘•、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料₪↟◕，具有高擊穿電場▩↟✘•、高飽和電子速度▩↟✘•、高熱導率▩↟✘•、高電子密度▩↟✘•、高遷移率▩↟✘•、可承受大功率等特點···。

已被認為是當今電子產業發展的新動力₪↟◕，以第三代半導體的典型代表碳化矽（SiC）為例₪↟◕，碳化矽具有高臨界磁場▩↟✘•、高電子飽和速度與極高熱導率等特點₪↟◕，使得其器件適用於高頻高溫的應用場景₪↟◕，相較於矽器件₪↟◕，碳化矽器件可以顯著降低開關損耗···。

第三代半導體材料有抗高溫▩↟✘•、高功率▩↟✘•、高壓▩↟✘•、高頻以及高輻射等特性₪↟◕，相比第一代矽基半導體可以降低50%以上的能量損失₪↟◕，同時使裝備體積減小75%以上···。第三代半導體屬於後摩爾定律概念₪↟◕，製程和裝置要求相對不高₪↟◕，難點在於第三代半導體材料的製備₪↟◕，同時在設計上要有優勢···。

第三代半導體晶片