GaN快速退火爐使用方便▩▩•，易於操作▩▩•，加熱元件採用紅外燈管▩▩•，加熱速度快▩▩•，節省時間₪▩▩↟·。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程▩▩•，操作方便▩▩•，可快速獲得實驗結果▩▩•，省去了重複的法蘭安裝過程▩▩•，減少了爐管安裝造成的損壞₪▩▩↟·。那麼你知道它該有怎樣的配置和特點嗎╃◕？
GaN快速退火爐適用於CVD工藝▩▩•，例如碳化矽塗層▩▩•，陶瓷基板電導率測試▩▩•，ZnO奈米結構的受控生長▩▩•，陶瓷電容器（MLCC）氣氛燒結和其他實驗₪▩▩↟·。此CVD系統配置·•✘☁╃：1200度開放式真空管式爐（可選單溫度區▩▩•，雙溫度區）₪▩▩↟·。多通道質量流量控制系統▩▩•，真空系統（可以選擇中真空或高真空）₪▩▩↟·。
1☁₪、控制電路採用模糊PID程式控制技術▩▩•，具有溫度控制精度高▩▩•，熱慣性低▩▩•，溫度超調▩▩•，效能可靠▩▩•，操作簡單的特點₪▩▩↟·。
2☁₪、氣路快速連線法蘭結構採用公司*的智慧財產權設計▩▩•，提高了操作的便利性₪▩▩↟·。
3☁₪、中真空系統具有自動控制真空度上限和下限的功能▩▩•，高真空系統使用高壓耐衝擊分子泵₪▩▩↟·。
GaN快速退火爐易於操作▩▩•，加熱元件採用紅外燈管▩▩•，加熱速度快▩▩•，節省時間₪▩▩↟·。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程▩▩•，操作方便₪▩▩↟·。實驗結果可以很快獲得▩▩•，並且省去了重複的方法▩▩•，藍色的安裝過程減少了由於安裝引起的爐管損壞₪▩▩↟·。