GaAs快速退火爐₪▩,GaAs快速退火爐知多少↟│╃↟?GaAs快速退火爐該有怎樣的配置和特點嗎↟│╃↟?今天瑞樂半導體科技有限公司小編為你整理分享GaAs快速退火爐₪▩,GaAs快速退火爐知多少↟│╃↟?GaAs快速退火爐該有怎樣的配置和特點嗎↟│╃↟?
GaAs快速退火爐使用方便₪▩,易於操作₪▩,加熱元件採用紅外燈管₪▩,加熱速度快₪▩,節省時間•▩↟▩。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程₪▩,操作方便₪▩,可快速獲得實驗結果₪▩,省去了重複的法蘭安裝過程₪▩,減少了爐管安裝造成的損壞•▩↟▩。那麼你知道它該有怎樣的配置和特點嗎↟│╃↟?
GaAs快速退火爐適用於CVD工藝₪▩,例如碳化矽塗層₪▩,陶瓷基板電導率測試₪▩,ZnO奈米結構的受控生長₪▩,陶瓷電容器(MLCC)氣氛燒結和其他實驗•▩↟▩。此CVD系統配置•·╃▩:1200度開放式真空管式爐(可選單溫度區₪▩,雙溫度區)•▩↟▩。多通道質量流量控制系統₪▩,真空系統(可以選擇中真空或高真空)•▩↟▩。
GaAs/GaN用快速退火爐
1•│☁│、控制電路採用模糊PID程式控制技術₪▩,具有溫度控制精度高₪▩,熱慣性低₪▩,溫度超調₪▩,效能可靠₪▩,操作簡單的特點•▩↟▩。
2•│☁│、氣路快速連線法蘭結構採用公司*的智慧財產權設計₪▩,提高了操作的便利性•▩↟▩。
3•│☁│、中真空系統具有自動控制真空度上限和下限的功能₪▩,高真空系統使用高壓耐衝擊分子泵•▩↟▩。
GaAs用快速退火爐易於操作₪▩,加熱元件採用紅外燈管₪▩,加熱速度快₪▩,節省時間•▩↟▩。滑動法蘭簡化了樣品的裝卸過程₪▩,操作方便•▩↟▩。實驗結果可以很快獲得₪▩,並且省去了重複的方法₪▩,藍色的安裝過程減少了由於安裝引起的爐管損壞•▩↟▩。