快速退火爐RTP-Table-6產品介紹
一▩☁☁、簡介
1.1 概要
RTP-150RL是在保護氣氛下的桌面式快速退火系統│◕↟▩，以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品│◕↟▩，工藝時間短│◕↟▩，控溫精度高│◕↟▩，適用最大6英寸晶片│☁☁✘。相對於傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統│◕↟▩，其獨特的腔體設計▩☁☁、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟體控制系統│◕↟▩，確保了極好的熱均勻性│☁☁✘。
1.2 產品特點
紅外鹵素燈管加熱│◕↟▩，冷卻採用風冷
燈管功率PID控溫│◕↟▩，可精準控制溫度升溫│◕↟▩，保證良好的重現性與溫度均勻性
採用平行氣路進氣方式│◕↟▩，氣體的進入口設定在Wafer表面│◕↟▩，避免退火過程中冷點產生│◕↟▩，保證產品良好的溫度均勻性
大氣與真空處理方式均可選擇│◕↟▩，進氣前氣體淨化處理
標配兩組工藝氣體│◕↟▩，最多可擴充套件至6組工藝氣體
可測單晶片樣品的最大尺寸為6英寸（150×150mm）
採用爐門安全溫度開啟保護▩☁☁、溫控器開啟許可權保護以及裝置急停安全保護三重安全措施│◕↟▩，全方位保障儀器使用安全
1.3 RTP行業應用
氧化物▩☁☁、氮化物生長
矽化物合金退火
砷化鎵工藝
歐姆接觸快速合金
氧化迴流
其他快速熱處理工藝
離子注入啟用
行業領域╃·：
晶片製造 生物醫學 奈米技術
MEMS LEDs 太陽能電池
化合物產業 ╃·：GaAs│◕↟▩，GaN│◕↟▩，GaP│◕↟▩，
GaInP│◕↟▩，InP│◕↟▩，SiC
光電產業╃·：平面光波導│◕↟▩，鐳射│◕↟▩，VCSELs
二▩☁☁、技術規格
2.1引數RTP-Table-6
最大產品尺寸╃·：6英寸晶圓或者最大支援150×150mm產品
溫度範圍╃·：室溫~1250℃
最高升溫速度╃·：150℃/s
溫度均勻度╃·：±1%
溫控方式╃·：快速PID溫控
降溫速度╃·：200℃/min（1000~400℃）
腔體設計╃·：可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式╃·：水冷腔體│◕↟▩，獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式╃·：氮氣吹掃
工藝氣體╃·：MFC控制│◕↟▩，常規兩路氣體│◕↟▩，最大可擴充至6路氣體
