快速退火爐RTP-SA-12
一₪•、簡介
1.1 概要
RTP-SA-12是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統▩▩，以紅外可見光加熱單片 Wafer或樣品▩▩，工藝時間短▩▩，控溫精度高▩▩，適用4-12英寸晶片•◕↟₪。相對於傳統擴散爐退火系統和其他RTP系統▩▩，其獨特的腔體設計₪•、先進的溫度控制技術和獨有的RL900軟體控制系統▩▩，確保了極好的熱均勻性•◕↟₪。
1.2 產品特點
（1）紅外鹵素燈管加熱▩▩，冷卻採用風冷
（2）燈管功率PID控溫▩▩，可精準控制溫度升溫▩▩，保證良好的重現性與溫度均勻性
（3）採用平行氣路進氣方式▩▩，氣體的進入口設定在Wafer表面▩▩，避免退火過程中冷點產生▩▩，保證產品良好的溫度均勻性
（4）大氣與真空處理方式均可選擇▩▩，進氣前氣體淨化處理
（5）標配兩組工藝氣體▩▩，最多可擴充套件至6組工藝氣體
（6）可測單晶片樣品的最大尺寸為12英寸（300×300mm）
（7）採用爐門安全溫度開啟保護₪•、溫控器開啟許可權保護以及裝置急停安全保護三重安全措施▩▩，全方位保障儀器使用安全
1.3 RTP行業應用
氧化物₪•、氮化物生長
矽化物合金退火
砷化鎵工藝
歐姆接觸快速合金
氧化迴流
其他快速熱處理工藝
離子注入啟用
行業領域↟╃☁◕▩：
晶片製造 生物醫學 奈米技術
MEMS LEDs 太陽能電池
化合物產業 ↟╃☁◕▩：GaAs▩▩，GaN▩▩，GaP▩▩，
GaInP▩▩，InP▩▩，SiC
光電產業↟╃☁◕▩：平面光波導▩▩，鐳射▩▩，VCSELs
二₪•、技術規格
2.1引數RTP-SA-12
最大產品尺寸↟╃☁◕▩：4-12英寸晶圓或者最大支援300×300mm產品
溫度範圍↟╃☁◕▩：室溫~1250℃
最高升溫速度↟╃☁◕▩：150℃/s
溫度均勻度↟╃☁◕▩：±1%
溫控方式↟╃☁◕▩：快速PID溫控
降溫速度↟╃☁◕▩：200℃/min（1000~400℃）
腔體設計↟╃☁◕▩：可配置大氣常壓腔體或者真空腔體
腔體冷卻方式↟╃☁◕▩：水冷腔體▩▩，獨立水冷源控制冷卻
襯底冷卻方式↟╃☁◕▩：氮氣吹掃
工藝氣體↟╃☁◕▩：MFC控制▩▩，常規兩路氣體▩▩，最大可擴充至6路氣體
