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淺談離子注入後RTP應用

作者·▩•╃│:admin 瀏覽量·▩•╃│:672 來源·▩•╃│:本站 時間·▩•╃│:2021-10-22 18:34:33

資訊摘要·▩•╃│:

離子注入會將原子撞出出晶格結構而造成晶格損傷✘☁☁☁✘,必須透過足夠高溫度的熱處理✘☁☁☁✘,才能具有電活性✘☁☁☁✘,並消除注入損傷RTP系統能夠快速使晶圓溫度上升或下降✘↟。一般清況下✘☁☁☁✘,RTP系統只需要不到10s的時間就能使晶圓達到所需的退火溫度✘☁☁☁✘,即1000℃✘╃、1150℃之間✘↟。退火過程需要10s左右時間✘☁☁☁✘,接著關掉加熱燈管並注入氮冷卻氣體後✘☁☁☁✘,晶圓將被

離子注入會將原子撞出出晶格結構而造成晶格損傷✘☁☁☁✘,必須透過足夠高溫度的熱處理✘☁☁☁✘,才能具有電活性✘☁☁☁✘,並消除注入損傷


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RTP系統能夠快速使晶圓溫度上升或下降✘↟。一般清況下✘☁☁☁✘,RTP系統只需要不到10s的時間就能使晶圓達到所需的退火溫度✘☁☁☁✘,即1000℃✘╃、1150℃之間✘↟。退火過程需要10s左右時間✘☁☁☁✘,接著關掉加熱燈管並注入氮冷卻氣體後✘☁☁☁✘,晶圓將被快速冷卻✘↟。溫度上升得越快✘☁☁☁✘,摻雜物原子的擴散就越少✘↟。當元器件的關鍵尺寸小於0.1um時✘☁☁☁✘,升溫速率可能必須高達250℃/s✘☁☁☁✘,才能在低摻雜物擴散的同時獲得所需的退火要求✘↟。



離子注入後的RTP過程如下·▩•╃│:
·晶圓進入
·溫度急升✘☁☁☁✘,溫度趨穩
·退火
·晶圓冷卻
·晶圓退出
此時的溫度上升速率為75℃/s~150℃/s✘☁☁☁✘,而退火溫度大約為1100℃✘↟。在充滿氮氣和固定氣流的環境下✘☁☁☁✘,整個工藝過程只需不到2min的時間就能完成✘↟。下圖顯示了RTP系統在離子注入後退火過程中的溫度變化✘↟。

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