RTP的一個關鍵因素是溫度的測量和控制✘•☁。快速熱退火（Rapid thermal processing▩₪▩₪▩，RTP）是將晶片快速加熱到設定溫度▩₪▩₪▩，進行短時間快速退火的方法▩₪▩₪▩，熱處理時間通常小於1~2分鐘✘•☁。過去幾年間▩₪▩₪▩，RTP已逐漸成為先進半導體制造必不可少的一項工藝▩₪▩₪▩，用於氧化₪│₪◕、退火₪│₪◕、金屬矽化物的行程和快速熱化學沉積✘•☁。
RTP系統採用輻射熱源對晶片進行一片一片的加熱▩₪▩₪▩，溫度測量和控制透過高溫計完成✘•☁。
RTP可快速升至工藝要求的溫度▩₪▩₪▩，並快速冷卻▩₪▩₪▩，此外▩₪▩₪▩，RTP還可以出色地控制工藝氣體✘•☁。因此▩₪▩₪▩，RTP可以在一個工藝程式中完成複雜的多階段熱處理工藝✘•☁。RTP快速升溫₪│₪◕、短時間快速處理的能力很重要▩₪▩₪▩，因為先進半導體制造要求儘可能縮短熱處理時間₪│₪◕、限制雜質擴散程度✘•☁。
RTP系統中▩₪▩₪▩，熱源直接面對晶片表面▩₪▩₪▩，而不是如批處理高溫爐那樣對矽片邊緣進行加熱✘•☁。因此▩₪▩₪▩，RTP系統處理大直徑晶片時不會影響工藝處理的均勻性和升（降）溫速度✘•☁。
然而▩₪▩₪▩，晶片表面的器件分佈圖形（pattern）會給溫度帶來一些影響和限制✘•☁。因此RTP系統加熱晶片時採用的是輻射性熱源▩₪▩₪▩，溫度會受到光學性質的影響✘•☁。隨著器件尺寸的不斷微縮和對工藝處理均勻性的要求變得更加苛刻▩₪▩₪▩，如何最佳化加熱結構▩₪▩₪▩，減少“圖形效應”已成為一個重要的研究領域✘•☁。目前解決“圖形效應”的辦法▩₪▩₪▩，包括減少晶片表面入射能量的雙面加熱方法▩₪▩₪▩，以及採用與晶片溫度接近的熱源對有圖形的一面進行照射的方法✘•☁。
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